반도체 포토 공정은 포토레지스트(PR), 블랭크마스크, 펠리클, 현상액 등 정밀 소재가 결합된 핵심 미세공정입니다. 이번 포스팅에서는 EUV 시대의 기술 변화와 국내 주요 기업인 동진쎄미켐, 에스앤에스텍, 에프에스티, 이엔에프테크놀로지의 사업 구조, 경쟁력, 최신 동향과 투자 포인트를 정리해 보았습니다.
반도체 포토 공정 개요
포토 공정은 웨이퍼 위에 감광성 수지(포토레지스트, PR)를 도포하고, 포토마스크의 회로 패턴을 빛으로 전사한 뒤 현상해 미세 패턴을 형성하는 공정으로 대표 절차는 다음과 같습니다.
- Wafer 준비/세정 & HMDS 등 접착력 향상
- PR 코팅(스핀코팅) & Edge Bead Removal(EBR)
- 소프트베이크(SB): 용매 제거·두께/균일도 안정화
- 노광(Exposure): DUV(248/193nm) 또는 EUV(13.5nm)
- PEB(Post-Exposure Bake): 산 촉매 반응·스탠딩 웨이브 완화
- 현상(Develop): 패턴 현출
- 하드베이크/애싱 등 후처리
- EUV로 갈수록 파장은 짧아지지만, 마스크 결함·오염 제어가 수율을 좌우하므로 펠리클(마스크 보호막)의 성능과 블랭크마스크(마스크 원판) 품질이 결정적으로 중요하다.
EUV와 펠리클/블랭크마스크의 역할
- 펠리클: 마스크 표면에 파티클이 붙어 웨이퍼로 인쇄되는 결함을 막는 초박막 막으로, EUV에서는 높은 투과율·열안정성·기계적 강도가 요구된다. 하이파워 스캐너에서도 변형 없이 버텨야 하며, 결함 검사/모니터링 장비와 세트로 관리된다.
- 블랭크마스크: 크롬·몰리브덴·다층반사막 등이 적층된 원판으로, 결함/파티클 제어와 표면 평탄이 관건. EUV 공정 확산에 따라 국산화 경쟁이 치열하다.
포토공정 글로벌 트렌드
- EUV 채택 확대로 EUV PR(포토레지스트)는 고성장 전망(CAGR 20%대 추정),
- 포토 공정 케미칼과 펠리클·마스크 소재의 고부가가치화가 진행 중이다.
- 일본(JSR, TOK, 신에츠)이 여전히 강세지만, 한국 기업들의 ArF·EUV 국산화 성과가 가시화되고 있다.
반도체 포토 공정 핵심 기업 밸류체인
동진쎄미켐 — “국산 포토레지스트의 대명사, EUV·하이-NA로 전진”
기업개요
국내 대표 포토레지스트 업체로 ArF(193nm) PR에서 경쟁력을 확보했고, 메모리/파운드리 고객향 EUV PR로 확장하며 제품 포트폴리오를 상향 중이다.
사업구조
- PR(포토레지스트): ArF(ArF Dry/Wet) → EUV로 라인업 고도화
- 동반 케미칼/소재 라인과의 시너지로 고객 맞춤형 공급체계 강화
- 차세대 하이-NA EUV 전용 PR R&D 착수
경쟁사대비 강점
- 국내 고객(삼성·하이닉스 등)과의 근접 협업, 레시피 커스터마이징 역량
- ArF 대량 양산 데이터 축적 → EUV 전환 시 공정적합성 가속
- 공급망 리스크 완화(국산화)와 빠른 기술지원이 차별화 포인트
최근 동향 & 투자포인트
- EUV PR 수요 확대(파운드리·메모리 동시)와 함께 성장 기대감 반영. 일부 증권 코멘트에서도 EUV용 PR 모멘텀에 주목.
- 하이-NA 대응: 스캐너 교체와 레지스트 혁신이 동시 요구 → 선제 R&D는 중장기 진입장벽.
- 리스크: EUV 고객 인증 리드타임, 수율·CD 제어, 코스트 협상. (EUV는 테스트·양산 전환까지 시간이 길다)
체크 포인트
- 파운드리향 EUV PR 평가 진척/양산 전환 시점,
- 하이-NA 대응 포트폴리오 공개 범위
- 고객 다변화(메모리→파운드리→선단 공정) 진행 속도.
에스앤에스텍 — “EUV 블랭크마스크·펠리클 투트랙”
기업개요
포토마스크 원판(블랭크마스크) 분야에서 기술 내재화를 추진하고, EUV 펠리클까지 밸류체인을 확장 중인 소재 전문 기업.
사업구조
- 블랭크마스크: DUV에서 EUV로 확장. PSM(위상시프트) 등 제품군 다각화 계획.
- EUV 펠리클: 투과율·내열성·기계적 강도 확보를 목표로 차세대 사양 준비.
경쟁사대비 강점
- 글로벌 톱티어(Hoya/AGC/신에츠) 독주 시장에서 국산 대안으로 주목. 파티클 컨트롤 개선과 차세대 펠리클 로드맵을 축적. Naver
- 국내 고객 근접성과 개발·인증 협업 효율
최근 동향 & 투자포인트
- 양산 돌입/검증 로드맵을 지속 언급(23~25년 기사·IR). 다만 EUV 출하의 본격 반영은 고객 가동률·검증 기간에 좌우.
- EUV 펠리클/블랭크마스크 양 날개가 열리면 레버리지 큼.
- 리스크: 글로벌 톱티어와의 성능 격차 축소 필요, 고사양 스펙의 대량 안정성 확보, 고객 라인 진입 속도.
체크 포인트
- EUV 블랭크마스크 고객 인증/양산 타이밍
- 펠리클 투과율(400~600W 대응) 및 열변형 관리 지표 업데이트,
- 고객 포트폴리오 다변화.
에프에스티 — “EUV 펠리클 국산화 선두주자, 공급 임박 시그널”
기업개요
디스플레이·반도체 장비/소재로 출발해 EUV 펠리클을 전략축으로 키우는 기업. 1·2세대 펠리클 개발과 다중 고객 검증을 진행해 왔다.
사업구조
- 펠리클: EUV용 초박막 멤브레인·프레임·부착 기술, 투과율/열내구/미세결함 제어가 핵심 사양
- 검사/모니터링 연계 생태계(품질·내구 모니터링)는 고객 양산 안정화에 필수.
경쟁사대비 강점
- 국내 팹과 근접한 샘플·평가 사이클
- 차세대 스펙(고출력 스캐너 대응)의 빠른 로드맵 제시, 국산 공급망 형성의 퍼스트 무버 역할.
최근 동향 & 투자포인트
- 공급 임박/가격 협상 관련 보도(25년 9월) 등 양산 전환 신호. 상업화 시 고부가 ASP와 레버리지.
- 리스크: 양산 초기 수율/신뢰성 확보, 펠리클 교체/관리 비용의 고객 부담, 해외 경쟁사 대응.
체크 포인트
- 초도 양산·매출 인식 시점,
- 고객군(메모리·파운드리) 확대
- 차세대(고출력/하이-NA) 대응 스펙 공개.
이엔에프테크놀로지 — “현상액·신너·스트리퍼 등 프로세스 케미칼과 PR 원료 밸류체인”
기업개요
반도체·디스플레이 프로세스 케미칼 강자. 포토 공정에서는 현상액(Developer), 신너(Thinner), 스트리퍼(Stripping) 등 핵심 케미칼, 식각·박리 케미칼을 공급한다. 또한 PR 전구체(폴리머·모노머)까지 직접 생산·공급하는 밸류체인을 확보했다.
사업구조
- 프로세스 케미칼: 현상액/신너/스트리퍼/식각액/박리액 등
- PR 원료(화인케미칼): 레지스트용 모노머·폴리머 등
- CMP 슬러리/컬러 페이스트 등 주변 소재 확장.
경쟁사대비 강점
- 포토·식각 다공정 동시 대응으로 고객 라인 최적화(수율 기반) 제안 능력
- PR 원료까지 수직계열화되어 레지스트 업체·팹 양측과의 소재-레시피 공동개발 유리.
최근 동향 & 투자포인트
- HBM/선단 공정 수요 회복에 따른 케미칼 출하 확대, 불산계 식각액·현상액 등 주력 포트폴리오 성장 기대.
- 리스크: 원재료 가격 변동·환경안전 규제 강화, 고객선 레시피 변경 시 재인증 리드타임.
체크 포인트
- 고객/공정별 신규 레시피 채택 속도
- PR 원료 수직계열화의 매출화 진전
- HBM·파운드리 복합 수요의 믹스 개선.
반도체 포토공정 밸류체인 지도: 누가 어디를 맡나?
| 세부 품목 | 핵심 요구 스펙 | 국내 주요사 | 코멘트 |
|---|---|---|---|
| EUV PR | 해상도·감도·LWR/LE·아웃가스·하이-NA 적합성 | 동진쎄미켐 | 국산 EUV PR 평가 확대, 하이-NA 대응 R&D. 고객 인증이 모멘텀. |
| 블랭크마스크 | 다층반사막 결함·평탄·파티클 | 에스앤에스텍 | 톱티어 대체 후보. 인증/양산 로드맵 주시. |
| EUV 펠리클 | 투과율·열내구·기계 강도·결함관리 | 에프에스티, 에스앤에스텍 | 국산화 가속. 공급 임박·세대 업그레이드. |
| 현상액/신너/스트리퍼 | 포토 공정 수율·잔사/결함·레시피 적합 | 이엔에프테크놀로지 | 포토·식각 다공정 대응, PR 원료까지 수직계열화. |
반도체 포토공정 투자 관전 포인트
- EUV 보급률 상승: 2D/3D 메모리 미세화와 파운드리 선단 공정 경쟁이 촉진. 관련 PR·펠리클·블랭크마스크 공급망이 동반 성장.
- 하이-NA 전환: 레지스트/펠리클/마스크 요구 스펙이 한 단계 상승. 선제 R&D 기업에 높은 진입장벽과 마진 구조.
- 고객 인증 리드타임: 소재는 평가→라인 인증→양산까지 시간이 길다. 뉴스 모멘텀과 실적 반영 시점을 구분해야 한다.
- 수율과 검사 생태계: 펠리클/마스크/PR은 결함 검사·모니터링과 세트로 움직인다. 검사 장비·QC 지표 공개도 체크.
리스크 체크리스트
- 기술 스펙/신뢰성: EUV는 고출력 스캐너에서 열·기계 스트레스가 커 투과율/뒤틀림/입자 관리가 필수. 스펙 미충족 시 승인 지연.
- 글로벌 경쟁: 일본·유럽 선도 기업과의 성능 격차·IP 이슈. 블랭크마스크·펠리클 시장은 진입 장벽이 특히 높다.
- 수요 변동성: 고객사 EUV 가동률·설비투자 사이클, 노광 공정 레시피 변경 리스크.
- 원재료/안전·환경 규제: 케미칼 원가·규제 강화에 따른 마진 압박.
기업별 요약 투자포인트
- 동진쎄미켐: EUV PR 국산화·평가 확대, 하이-NA 선제 대응 → 고부가 전환이 핵심. 고객 인증·양산 타이밍이 트리거.
- 에스앤에스텍: EUV 블랭크마스크+펠리클 투트랙. 인증/양산 스케줄링과 성능 지표 업데이트가 주가 변수.
- 에프에스티: EUV 펠리클 공급 임박 보도—초도 매출 인식 시 레버리지 기대. 고객 다변화와 차세대 스펙(고출력·하이-NA) 대응 확인.
- 이엔에프테크놀로지: 포토/식각 프로세스 케미칼 전방위 + PR 원료 수직계열화 강점. HBM·선단 공정 회복 시 믹스 개선.
포토 공정의 본질은 패턴 충실도와 결함 최소화다.
EUV 확산 국면에서 PR–블랭크마스크–펠리클–프로세스 케미칼–검사가 하나의 시스템으로 맞물리며, 하이-NA 전환은 밸류체인 전반의 스펙 상향과 신규 진입장벽을 만든다.
국내 4사는 각자 강점 영역에서 국산 공급망을 세우며 글로벌 밸류체인 내 존재감을 키우는 중이다.
투자자는 고객 인증–양산 전환–실적 반영의 타임 래그를 감안해, 기술 지표 업데이트와 고객 다변화의 실증을 추적할 필요가 있다.
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