삼성전자 반도체 관련 뉴스, 리포트 등을 검색하면 P5, 1C, 1B, S3 같은 약칭이 정말 많이 등장합니다. 투자자 입장에서는 어떤 라인이 DRAM인지, 어떤 라인이 HBM인지, 파운드리인지 헷갈릴 때가 많습니다. 삼성 반도체 공장은 기흥, 화성, 평택, 온양, 천안 등 여러 캠퍼스에 걸쳐 있고, 각 캠퍼스마다 생산 기능에 따라 다양한 라인 코드명을 사용합니다. 이번 포스팅에서는 P5, 1C, 1B, S3 등이 의미하는 것과, 삼성 반도체 라인 구조를 쉽게 정리해보았습니다.
삼성 반도체 라인은 어떻게 구분될까?
삼성전자 반도체 라인 이름은 다음과 같은 방식으로 구분됩니다.
- 캠퍼스 기반: 기흥(K), 화성(S), 평택(P), 온양(O), 천안(C)
- 번호 기반: 1, 2, 3, 4 같은 순번
- 기능 기반: DRAM, NAND, 파운드리, 패키징, EUV 등
- 내부 코드 기반: 1B, 1C처럼 DRAM 세부 공정 코드
즉, 지역 + 공정 특성 + 내부 코드가 조합돼 라인 이름이 만들어지는 구조라고 보시면 됩니다
평택 P 시리즈(P1~P5)
삼성전자 반도체의 미래 전략을 책임지는 핵심 캠퍼스가 바로 평택입니다.
삼성은 평택에만 500조 규모가 투입되는 초대형 반도체 공장을 건설하고 있으며, DRAM부터 파운드리, HBM까지 모든 첨단 반도체 생산이 집중되고 있습니다.
| 용어 | 의미 | 비고 |
|---|---|---|
| P1 | 평택 1라인 | 3D NAND 초기 / DRAM 파운드리 혼재 |
| P2 | 평택 2라인 | DRAM + EUV 기반 라인 |
| P3 | 평택 3라인 | 첨단 DRAM(EUV), 파운드리 일부. HBM 관련 핵심 |
| P4 | 평택 4라인(건설 추진/확장) | 첨단 파운드리·HBM 중심 예정 |
| P5 | 평택 5라인(신규 예정) | 업계에서 가장 주목되는 차세대 HBM∙첨단 파운드리 생산라인 |
P5는 현재 가장 많이 언급되는 이유 → HBM 증설 라인으로 가능성이 높기 때문.
화성 S 시리즈(S1~S4)
화성은 삼성 파운드리의 심장부입니다.
특히 EUV 공정 라인이 가장 많이 위치해 있어 5nm, 4nm, 3nm 같은 첨단 로직 공정이 이곳에서 탄생합니다.
| 용어 | 의미 | 비고 |
|---|---|---|
| S1 | 화성 1라인 | CIS(이미지 센서) 중심 |
| S2 | 화성 2라인 | 로직·파운드리 중심 |
| S3 | 화성 3라인 | 파운드리 EUV 핵심 라인 삼성이 7nm EUV 공정부터 3nm GAA 공정까지 최초 적용한 라인 |
| S4 | 화성 4라인 | 신규 EUV 기반 라인(미래 파운드리 중심) |
S3는 삼성 파운드리의 가장 중요한 EUV 생산 라인으로 유명. / 퀄컴, 테슬라, 구글 등이 삼성 파운드리 라인을 선택할 때 가장 먼저 연결되는 곳
기흥(K) 라인 구조
기흥은 삼성 반도체의 역사가 시작된 곳입니다.
과거 DRAM의 대부분이 기흥에서 생산됐고, 지금도 여러 DRAM·NAND·연구라인이 존재합니다.
기흥은 삼성 반도체의 ‘역사적 본진’ 같은 곳이며, 메모리 초기 생산라인이 많다.
| 용어 | 의미 | 비고 |
|---|---|---|
| 11라인 | 기흥 11라인 | DRAM 초기 중심 |
| K1 | 기흥 공장 신라인 | 3D NAND 중심 |
| K2/K3 | 증설 개념 라인 | 주로 후공정/테스트센터 포함 |
온양(O), 천안(C) 라인
온양과 천안은 메모리 후공정 및 패키징 중심 공장입니다.
웨이퍼를 제조하는 곳이 아니라 완제품 반도체 형태로 조립·패키징하는 곳이라는 점이 특징입니다.
| 지역 | 라인 | 주요 기능 |
|---|---|---|
| 온양 | O1, O2, O3 | 패키징·모듈 생산 |
| 천안 | C1, C2 | 패키징 및 테스트 라인 |
이곳에선 특히 HBM 패키징, TSV 공정 등이 성장하면서 중요성이 더욱 올라가고 있습니다.
1B / 1C 라인
반도체 업계에서 자주 언급되는 용어지만, 정확한 의미는 “삼성 내부 라인 코드명”이다.
대부분 평택·화성·기흥에 존재하는 특정 DRAM/파운드리 라인을 가리킵니다.
| 용어 | 의미 | 상세 |
|---|---|---|
| 1B 라인 | DRAM 중심 라인 | DDR/HBM 관련 라인으로 업계 기사에서 자주 등장 |
| 1C 라인 | 최신 공정 DRAM 또는 EUV 확장 라인 | 첨단 DRAM 증설 논의 시 자주 등장 (HBM 공정 일부 포함) |
※ 1B·1C는 지역(평택/화성)에 따라 목적이 다르며 업계 보고서에서 ‘HBM 캐파가 늘어나는 라인’으로 주로 언급됨.
삼성 반도체 라인 용어는 처음 들으면 복잡하지만, 정리해보면 단순합니다.
평택(P)은 미래성장, 화성(S)은 파운드리·EUV, 기흥(K)은 메모리 기반, 온양·천안(O·C)은 패키징, 1B·1C는 DRAM 내부 코드명.
특히 HBM 시장이 확대되면서 P3·P5·1C 라인이 투자자들에게 가장 중요한 키워드가 되고 있습니다.
이 용어만 정확히 알고 있어도, 뉴스나 기업 보고서를 훨씬 쉽게 이해할 수 있습니다.
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